Wolfspeed、8インチ SiC材料を本格商用化──次世代パワーデバイス量産の新時代へ

シリコンからシリコンカーバイドへの転換を加速し、EVや再エネ分野に大きな波及効果

アメリカのWolfspeedは2025年9月、200mm(8インチ)シリコンカーバイド（SiC）材料の商用展開を始めました。シリコンカーバイドは従来のシリコンに代わる新しい半導体材料で、電気を効率よく扱えるため、電気自動車（EV）や再生可能エネルギー設備に欠かせない技術として世界的に注目されています。

これまで主流だった150mm(6インチ)の基板よりも大きな200mm基板を使うことで、一度に作れるチップの数が増え、量産効率が大幅に改善されます。さらにWolfspeedは、基板の表面に高品質の結晶層をつくるエピタキシー技術も同時に提供。これにより製品の性能や品質が安定し、自動車から産業機器まで幅広い分野で応用できるようになります。

同社の幹部は「200mm SiCはただ大きいだけではなく、顧客の開発を確実に前進させる材料革新だ」と強調しています。今後はEVの航続距離を伸ばしたり、再エネ発電の効率を高めたりと、脱炭素社会に向けた大きな後押しとなることが期待されます。

重要キーワード３つの解説

• SiC（シリコンカーバイド）：シリコンに比べて高効率・高耐圧を実現できる半導体材料。EVや再エネ分野での利用が急拡大している。
• 200mmウェハー：従来主流だった150mmから一回り大きな直径。より多くのチップを一度に製造でき、量産効率が飛躍的に高まる。
• エピタキシー：ウェハー上に高品質な結晶層を形成するプロセス。デバイス性能や歩留まりを大きく左右する重要技術