- インフィニオンが650V CoolGaN搭載の新型電力モジュールを発表
- AIデータセンター、EV充電、再エネ用途に向けた高出力設計
- 最大70kW出力、低熱抵抗・高信頼性の.XT技術を搭載
- PressFIT技術で半田不要の耐久性ある接続を実現
- 従来設計より最大30%の基板スペース削減が可能
AIデータセンターやEV充電向けに、GaN技術で高効率・高出力を実現
急増する電力需要に対応するため、Infineon Technologies AG（インフィニオン）は、最新のGaN電力モジュール「EasyPACK™ CoolGaN™ Transistor 650 V」を発表した。AIデータセンターや再生可能エネルギーシステム、DC EV充電器といった高出力用途に対応するこの新モジュールは、設計の簡素化と市場投入までの時間短縮を可能にする。
本製品は、650V CoolGaNトランジスタと低寄生インダクタンス設計を組み合わせ、1フェーズあたり最大70kWの出力を実現。インフィニオン独自の.XTインターコネクト技術との統合により、熱抵抗を低減し、信頼性と効率の大幅な向上を図っている。
インフィニオンのローランド・オット上級副社長は、「CoolGaN技術とEasyPACKプラットフォームの融合は、エネルギー効率が求められる次世代電力システムに最適なソリューションです」とコメントしている。
