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AIサーバーからEV充電器まで――Infineonが発表した新世代CoolSiC™ MOSFETの可能性
省エネと小型化を同時に進める半導体技術 2025年8月26日、ドイツの大手半導体メーカーInfineon Technologies AGは、CoolSiC™ MOSFETs 650 V G2シリーズに75mΩの新モデルを追加しました。今回の発表は、一見すると半導体部品の細かな仕様変更に思えるかもし... -
インフィニオン、マーベルの車載イーサネット事業を買収完了 ―ソフトウェア定義車と物理AIで成長加速―
4兆円規模のデザインウィンパイプライン獲得、車載半導体世界首位の地位をさらに強化 2025年8月14日、Infineon Technologies AGは、米Marvell Technologyの車載イーサネット事業の買収を完了しました。この取引は同年4月に発表され、すべての規制承認を取... -
Infineon Technologiesの未来を切り開く半導体技術と持続可能な成長
デジタル化と脱炭素化を推進する、Infineon Technologiesの革新技術と社会への影響 Infineon Technologiesは、半導体業界のリーダーとして、特にパワーシステムとIoT(モノのインターネット)分野で革新をリードしています。2024年度には約58060人の従業員... -
AIの時代に不可欠:データセンターでの高性能 Infineon MOSFETの重要性
人工知能(AI)の急成長により、データセンターの電力消費が爆発的に増加しています。現在、世界の電力使用量の約2%をデータセンターが占めており、2030年までに7%に達する可能性があります。特にAIワークロードを処理する高性能GPUの利用が進んでいるた... -
リビアンの次世代EV「R2」にインフィニオンが電動駆動用パワーモジュールを供給
インフィニオンがリビアンの新型EV「R2」にパワーモジュールを供給 シリコンとシリコンカーバイドを組み合わせたHybridPACK Drive G2を採用 2026年から供給開始、マイコンや電源管理ICも含まれる マレーシアに新しいSiC製造工場を建設中 高性能・高品質の... -
リヴィアン新型EV「R2」にインフィニオンが高性能パワーモジュールを供給へ
インフィニオンがリヴィアンR2プラットフォームにパワーモジュールを供給 SiCとSiを組み合わせたHybridPACK™ Drive G2を採用 供給開始は2026年、AURIX™マイコンや電源ICも提供 マレーシア・クリム工場で先進的なSiC製造を強化中 EVの性能向上とゼロエミッ... -
インフィニオンとヴィステオン、次世代EV向け高効率電力変換システムで提携
インフィニオンとヴィステオンがEV用電力変換システム開発で提携 GaNおよびSiCベースの半導体デバイスで高効率・高性能化を実現 バッテリーボックスやオンボードチャージャーなどでの応用を想定 両社はEV分野のイノベーションと持続可能な移動手段を推進 ... -
独インフィニオン、ドレスデン新工場に最終助成承認:欧州半導体供給網の要に
インフィニオンがドレスデン新工場「Smart Power Fab」への最終資金助成をドイツ政府から獲得 再生可能エネルギー、データセンター、電動モビリティ分野への半導体供給強化を目的に約50億ユーロを投資 工場建設は順調に進行中で、建物外殻がほぼ完成、2026... -
インフィニオン、EVと産業効率を加速する革新技術:SiCトレンチ型スーパージャンクションが新時代を切り拓く
インフィニオンが新たにSiCトレンチ型スーパージャンクション(TSJ)技術を発表 1200V ID-PAKで最大800kWをサポート、高効率かつ小型化設計が可能 最大40%のRDS(on)*A改善と25%の電流容量向上を実現 冷却・並列化の負担を軽減し、システムコスト削減に貢... -
インフィニオン、次世代高電圧アプリケーション向け「EasyPACK™ CoolGaN™」電力モジュールを発表
インフィニオンが650V CoolGaN搭載の新型電力モジュールを発表 AIデータセンター、EV充電、再エネ用途に向けた高出力設計 最大70kW出力、低熱抵抗・高信頼性の.XT技術を搭載 PressFIT技術で半田不要の耐久性ある接続を実現 従来設計より最大30%の基板スペ...
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