パワーモジュール– category –
-
インフィニオン、EVと産業効率を加速する革新技術:SiCトレンチ型スーパージャンクションが新時代を切り拓く
インフィニオンが新たにSiCトレンチ型スーパージャンクション(TSJ)技術を発表 1200V ID-PAKで最大800kWをサポート、高効率かつ小型化設計が可能 最大40%のRDS(on)*A改善と25%の電流容量向上を実現 冷却・並列化の負担を軽減し、システムコスト削減に貢... -
インフィニオン、次世代高電圧アプリケーション向け「EasyPACK™ CoolGaN™」電力モジュールを発表
インフィニオンが650V CoolGaN搭載の新型電力モジュールを発表 AIデータセンター、EV充電、再エネ用途に向けた高出力設計 最大70kW出力、低熱抵抗・高信頼性の.XT技術を搭載 PressFIT技術で半田不要の耐久性ある接続を実現 従来設計より最大30%の基板スペ... -
業界を変える!NavitasのGaNSense™モータードライブIC、家庭・産業機器に革新を
NavitasがGaNSense™モータードライブICを発表、600Wまでの用途に対応 GaN技術により4%効率向上・15%コスト削減・40%小型化を実現 ロスレス双方向電流センシングで外部部品不要、信頼性向上 スルーレート調整・高レベル保護機能で設計の柔軟性も高い 家電か... -
Nexperia、小型・高放熱の新CFP2-HPパッケージ採用 ショットキーダイオード16種を発表
Nexperiaが新たに16種の低VF最適化ショットキーダイオードをCFP2-HPパッケージで発表 車載向け(AEC-Q101準拠)と産業向け各8種、最大60V/2Aに対応 CFP2-HPはわずか2.65×1.3×0.68mmで高い放熱性を実現 多層PCB対応に最適、SMA/B/Cパッケージの置き換えを促... -
インフィニオン、車載・産業向けに「CoolSiC™ MOSFET 750 V G2」発表 ― 超低RDS(on)で高効率化を実現
インフィニオンが新世代CoolSiC™ MOSFET 750 V G2を発表 4〜60 mΩの超低RDS(on)により、電力損失を大幅に削減 OBC、DC-DC、eFuseなどxEVおよび産業用途に最適 Q-DPAKパッケージで冷却性能と信頼性を強化 AEC-Q101およびJEDEC準拠で高耐久性・高信頼性を提... -
800V車載用eFuseの技術検証に成功!SALとAKMが次世代EV保護へ新基準
SALとAKMが共同で800V車載アプリ向けeFuseの技術実証に成功 SiC・GaNパワーデバイス向けに最適化され、即時の過電流遮断が可能 AKM製コアレス電流センサー「CZ39」は100nsの応答速度と高精度を実現 機械式ヒューズに比べ部品点数削減・保守コストの低下に... -
【新時代のEV充電へ】ROHM、高密度SiCパワーモジュール「HSDIP20」発表!
ROHMが新型SiCパワーモジュール「HSDIP20」を発表 750V/1200V対応の13モデルでOBC用途に最適化 従来比で動作温度38°C低減、設置面積も52%削減 EcoSiC™ブランドの高品質SiC技術を採用 EV・産業機器の小型・高効率化を強力にサポート 電動車普及を加速させる...