- インフィニオンが新世代CoolSiC™ MOSFET 750 V G2を発表
- 4〜60 mΩの超低RDS(on)により、電力損失を大幅に削減
- OBC、DC-DC、eFuseなどxEVおよび産業用途に最適
- Q-DPAKパッケージで冷却性能と信頼性を強化
- AEC-Q101およびJEDEC準拠で高耐久性・高信頼性を提供
OBCやDC-DCコンバータからeFuseまで幅広く対応、次世代電力変換を加速
2025年4月29日、ミュンヘン発―Infineon Technologies AG（インフィニオン）は、次世代SiC技術を搭載したCoolSiC™ MOSFET 750 V G2を発表しました。この新製品群は、自動車および産業用途向けの電力変換機器において、高効率・高出力密度・高信頼性を同時に実現する革新的なソリューションです。
今回のG2世代は、動作温度25℃におけるRDS(on)が4〜60 mΩの範囲で展開され、特に4 mΩおよび7 mΩのモデルは、eFuseやソリッドステートリレーなどの静的スイッチング用途に最適です。また、最小RDS(on)を搭載した製品は、トップサイド冷却型Q-DPAKパッケージにより、熱性能と信頼性を両立。
さらに、RDS(on) × QOSSおよびRDS(on) × Qfrが最適化されており、ハード/ソフト両スイッチング動作での損失を大幅に低減。また、ゲート電荷の低減により高速スイッチングとドライブ損失の抑制も可能にしています。
ゲート耐性についても、定常-7V、過渡-11Vまでの電圧に対応し、他社デバイスとの互換性と設計マージンが向上。VGS(th)＝4.5V、QGD/QGS比の最適化により、不要な誤動作（パラジティックターンオン）にも強い設計となっています。
製品はAEC-Q101およびJEDEC基準に準拠しており、xEVや高信頼性が求められる産業アプリケーションにおける長寿命・高耐久を保証しています。
