- STがイタリアに200mm SiC完全統合型製造キャンパスを建設
- 総投資額50億ユーロ、うち20億ユーロはイタリア政府支援
- 研究からパッケージングまでSiC製造の全工程を一拠点に集約
- 2026年生産開始、2033年に週15,000ウエハーのフル稼働予定
- EV・産業・再生可能エネルギー分野の電動化を加速
200mm SiCウエハーの大規模生産を支える垂直統合型キャンパス、総投資額50億ユーロ規模
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STMicroelectronics（NYSE: STM）は、電動化とエネルギー効率のニーズが高まる中、イタリア・カターニアに世界初の完全垂直統合型シリコンカーバイド（SiC）製造施設「シリコンカーバイド・キャンパス」の建設を発表しました。新施設は、200mmのSiCウエハーを用いたパワーデバイスおよびモジュールの高効率製造、試験、パッケージングを行うハイボリューム製造拠点となります。
本プロジェクトは、EU Chips Actの枠組み内でイタリア政府から約20億ユーロの支援を含む、総額約50億ユーロの複数年投資計画の一環です。研究開発から基板製造、エピタキシャル成長、前工程のウエハー処理、後工程のモジュール化までを一貫して一拠点で行う「フル垂直統合型SiC製造」が実現されます。
量産開始は2026年を予定し、2033年までに最大週15,000枚のウエハー生産能力に達する見込みです。カターニア拠点は、STのSiC技術の中核として、将来の車載・産業・クラウドインフラ向けアプリケーションを支える重要拠点となります。
STはこれまでもカターニアやスウェーデン・ノーショーピングにてSiCの研究開発と製造を進めており、今回の投資により欧州でのSiC供給能力と技術競争力を飛躍的に高める狙いです。
